参数资料
型号: MGW30N60
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: Insulated Gate Bipolar Transistor
中文描述: 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AE
文件页数: 5/6页
文件大小: 214K
代理商: MGW30N60
5
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 340F–03
TO–247AE
ISSUE E
R
P
A
K
V
F
D
G
U
L
E
0.25 (0.010)
M
T B
M
0.25 (0.010)
M
Y Q
S
J
H
C
4
1
2
3
–T–
–B–
–Y–
–Q–
STYLE 4:
PIN 1. GATE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
P
Q
R
U
V
MIN
20.40
15.44
4.70
1.09
1.50
1.80
MAX
20.90
15.95
5.21
1.30
1.63
2.18
MIN
0.803
0.608
0.185
0.043
0.059
0.071
0.215 BSC
0.101
0.019
0.613
0.286
0.122
0.138
0.130
0.209 BSC
0.120
MAX
0.823
0.628
0.205
0.051
0.064
0.086
INCHES
MILLIMETERS
5.45 BSC
2.56
0.48
15.57
7.26
3.10
3.50
3.30
5.30 BSC
3.05
2.87
0.68
16.08
7.50
3.38
3.70
3.80
0.113
0.027
0.633
0.295
0.133
0.145
0.150
3.40
0.134
NOTES:
1.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2.
CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
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