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参数资料
| 型号： | MJD148-2 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 369A-13, DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | MJD148-2 |
MJD148
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Test Conditions
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Note 2)
IC = 100 mAdc, IB = 0
VCEO(sus)
45
–
Vdc
Collector Cutoff Current
VCB = 45 Vdc, IE = 0
ICBO
–
20
mAdc
Emitter Cutoff Current
VBE = 5 Vdc, IC = 0
IEBO
–
1
mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 2)
IC = 10 mAdc, VCE = 5 Vdc
IC = 0.5 Adc, VCE = 1 Vdc
IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc
IC = 3 Adc, VCE = 1 Vdc
hFE
40
85
50
30
–
375
–
–
Collector–Emitter Saturation Voltage (Note 2)
IC = 2 Adc, IB = 0.2 Adc
VCE(sat)
–
0.5
Vdc
Base–Emitter On Voltage (Note 2)
IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc
VBE(on)
–
1.1
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain–Bandwidth Product
IC = 250 mAdc, VCE = 1 Vdc, f = 1 MHz
fT
3
–
MHz
2. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2%.
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