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参数资料
| 型号： | MJD18002D2-1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 369-07, DPAK-3 |
| 文件页数： | 15/16页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | MJD18002D2-1 |
MJD18002D2
http://onsemi.com
8
Typical Switching Characteristics
Figure 25. Inductive Switching Measurements
TIME
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
6
10
7
8
9
7
5
3
1
IC
IB
Vclamp
10% Vclamp
90% IB1
90% IC
tsi
tc
tfi
10% IC
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
V(BR)CEO(sus)
L = 10 mH
RB2 = ∞
VCC = 20 Volts
IC(pk) = 100 mA
Inductive Switching
L = 200 H
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
RBSOA
L = 500 H
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
+15 V
1 F
150
3 W
100
3 W
MPF930
+10 V
50
COMMON
-Voff
500 F
MPF930
MTP8P10
MUR105
MJE210
MTP12N10
MTP8P10
150
3 W
100 F
Iout
A
RB1
RB2
1 F
IC PEAK
VCE PEAK
VCE
IB
IB1
IB2
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