- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98015 > MJD18002D2-1 (ON SEMICONDUCTOR) 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MJD18002D2-1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 369-07, DPAK-3 |
| 文件页数： | 7/16页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | MJD18002D2-1 |
MJD18002D2
http://onsemi.com
15
Notes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD32-1 | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005BU | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005BD | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005AN | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005AJ | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD18002D2T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD18002D2T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD200 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD200_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors |
| MJD200_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。