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参数资料
| 型号： | MJD200TF |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | MJD200TF |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD200
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Output Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
VCE=2V
VCE=1V
h
FE
,DC
C
URRENT
GAI
N
IC[A], COLLECTOR CURRENT
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C
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A
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VCC=30V
IC=10IB
IB1=IB2
t ST
G
,t
F[n
s],
T
URN
O
F
T
IM
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
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DC
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s
1m
s
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10
0
s
I C
[A],
COL
L
ECT
O
R
CURRENT
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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