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参数资料
| 型号： | MJD200TF |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | MJD200TF |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD200
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
17.5
20.0
P
C
[W
],
PO
W
E
R
DI
SSI
PATI
O
N
TC[
o
C], CASE TEMPERATURE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD210-1 | 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD200-1 | 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD210I | 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD2955-I | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD29C-1 | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD210 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD210_10 | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS |
| MJD210-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS |
| MJD210G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD210G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
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