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参数资料
| 型号： | MJD29CI |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MJD29CI |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD29/
29C
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Turn On Time
Figure 3. Turn Off Time
Figure 4. Safe Operating Area
Figure 5. Power Derating
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
VCE = 2V
h
FE
,DC
C
URRENT
GAI
N
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
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1
10
tSTG
tF, VCC=10V
tF, VCC=30V
IC=10IB
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M
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IC[A], COLLECTOR CURRENT
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10
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10
tD, VBE(off)=2V
tR, VCC=10V
tR, VCC=30V
IC=10IB
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,t
D
[
s
],
T
UR
N
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N
T
IM
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IC[A], COLLECTOR CURRENT
1
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1
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100
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J
D
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R
CURR
E
N
T
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
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15
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P
C
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],
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
TC[
o
C], CASE TEMPERATURE
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