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参数资料
| 型号： | MJD29CI |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MJD29CI |
Product Folder - Fairchild P/N MJD29 - NPN Epitaxial Silicon Transistor
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MJD29
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Related Links
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Contents
Features
General Purpose Amplifier
Low Speed Switching Applications
q
Lead Formed for Surface Mount
Applications (No Suffix)
q
Straight Lead (I-PAK, "-I" Suffix)
q
Electrically Similar to Popular TIP29
and TIP29C
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Datasheet
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Product status/pricing/packaging
Product
Product status
Pricing*
Package type
Leads
Packing method
MJD29TF
Full Production
N/A
TO-252(DPAK)
2
TAPE REEL
MJD2955TF
Full Production
$0.35
TO-252(DPAK)
2
TAPE REEL
* 1,000 piece Budgetary Pricing
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file:///C|/shj/MJD29.html [Jul-26-2002 3:13:57 PM]
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD31C-1 | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD32C-1 | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD31CI | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| MJD31C-I | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD31I | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD29CITU | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD29CTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD29TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD-2V16W1P3 | 制造商:SEOUL 制造商全称:Seoul Semiconductor 功能描述:120V 17W Downlight |
| MJD3055 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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