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参数资料
| 型号： | MJD29CI |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MJD29CI |
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD29/
29C
Dimensions in Millimeters
6.60
±0.20
2.30
±0.10
0.50
±0.10
5.34
±0.30
0.70
±0.20
0.60
±0.20
0.80
±0.20
9.50
±0.30
6.10
±0.20
2.70
±0.20
9.50
±0.30
6.10
±0.20
2.70
±0.20
MIN0.55
0.76
±0.10
0.50
±0.10
1.02
±0.20
2.30
±0.20
6.60
±0.20
0.76
±0.10
(5.34)
(1.50)
(2XR0.25)
(5.04)
0.89
±0.10
(0.10)
(3.05)
(1.00)
(0.90)
(0.70)
0.91
±0.10
2.30TYP
[2.30
±0.20]
2.30TYP
[2.30
±0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
D-PAK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD31C-1 | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| MJD31CI | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| MJD31C-I | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD31I | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MJD29CTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD29TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD-2V16W1P3 | 制造商:SEOUL 制造商全称:Seoul Semiconductor 功能描述:120V 17W Downlight |
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