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参数资料
| 型号： | MJD3055 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | MJD3055 |
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
6.25
100
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICEX
Collector Cut-off
Current
(VBE = -1.5 V)
VCE = 70 V
Tj = 150
oC
20
2
A
mA
ICBO
Collector Cut-off
Current (IE = 0)
VCB = 70 V
Tj = 150
oC
20
2
A
mA
ICEO
Collector Cut-off
Current (IB = 0)
VCE = 30 V
50
A
IEBO
Emitter Cut-off Current
(IC = 0)
VEB = 5 V
0.5
mA
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(IB = 0)
IC = 30 mA
60
V
VCE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
IC = 4 A
IB = 0.4 A
IC = 10 A
IB = 3.3 A
1.1
8
V
VBE(on)
Base-Emitter Voltage
IC = 4 A
VCE = 4 V
1.8
V
hFE
DC Current Gain
IC = 4 A
VCE = 4 V
IC = 10 A
VCE = 4 V
20
5
100
fT
Transition Frequency
IC = 0.5 A
VCE = 10 V f = 500 KHz
2
MHz
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
For PNP type voltage and current values are negative.
Safe Operating Area
Derating Curves
MJD2955 / MJD3055
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD2955T4 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD29C-I | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD29-I | 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD32B | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD31B | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD3055-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS |
| MJD3055G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD3055T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD3055T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD3055TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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