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参数资料
型号： MJD3055
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封装： DPAK-3
文件页数： 3/6页
文件大小： 188K
代理商： MJD3055
DC Current Gain (NPN type)
DC Transconductance (NPN type)
Collector-Emitter Saturation Voltage (NPN type)
DC Current Gain (PNP type)
DC Transconductance (PNP type)
Collector-Emitter Saturation Voltage (PNP type)
MJD2955 / MJD3055
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相关PDF资料
PDF描述
MJD2955T4 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD29C-I 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD29-I 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32B 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD31B 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
相关代理商/技术参数
参数描述
MJD3055-1 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
MJD3055G 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4G 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055TF 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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