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参数资料
| 型号： | MJD3055 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | MJD3055 |
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.20
2.40
0.087
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A1
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B
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0.035
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5.40
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C
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C2
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D
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E
6.40
6.60
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G
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H
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L2
0.8
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L4
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1.00
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V2
0
o
8
o
0
o
0
o
P032P_B
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
MJD2955 / MJD3055
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD2955T4 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD29C-I | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD29-I | 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD32B | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD31B | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD3055-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS |
| MJD3055G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD3055T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD3055T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD3055TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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