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参数资料
| 型号： | MJD31CT4-A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | MJD31CT4-A |
January 2010
Doc ID 13473 Rev 3
1/9
9
MJD31CT4-A
Low voltage NPN power transistor
Features
■ This device is qualified for automotive
application
■ Surface-mounting TO-252 power package in
tape and reel
■ Complementary to the PNP type MJD32C
Application
■ General purpose linear and switching
equipment
Description
The device is manufactured in planar technology
with “base island” layout. The resulting transistor
shows exceptional high gain performance
coupled with very low saturation voltage.
Figure 1.
Internal schematic diagram
DPAK
TO-252
1
3
TAB
Table 1.
Device summary
Order code
Marking
Package
Packaging
MJD31CT4-A
MJD31C
DPAK
Tape and reel
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD31TF | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD32-I | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD32C-I | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD32BT4 | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD31BT4 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD31CT4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD31CT4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252 |
| MJD31CTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD31CTF_NBDD001 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD31CTF_SBDD001A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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