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参数资料
| 型号： | MJD31CT4-A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | MJD31CT4-A |
Electrical ratings
MJD31CT4-A
2/9
Doc ID 13473 Rev 3
1
Electrical ratings
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-base voltage (IE = 0)
100
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
100
V
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector current
3
A
ICM
Collector peak current
5
A
IB
Base current
1
A
PTOT
Total dissipation at Tc = 25 °C
15
W
TSTG
Storage temperature
-65 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
RthJC
Thermal resistance junction-case ________________Max
8.3
°C/W
RthJP
(1)
1.
When mounted on FR-4 board of 1 inch, 2 oz Cu.
Thermal resistance junction-pcb ________________ Max
50
°C/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD31TF | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD32-I | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD32C-I | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD32BT4 | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD31BT4 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD31CT4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD31CT4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252 |
| MJD31CTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD31CTF_NBDD001 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD31CTF_SBDD001A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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