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参数资料
型号： MJD31CT4-A
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封装： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件页数： 8/9页
文件大小： 260K
代理商： MJD31CT4-A
Revision history
MJD31CT4-A
8/9
Doc ID 13473 Rev 3
4
Revision history
Table 5.
Document revision history
Date
Revision
Changes
24-Apr-2007
1
Initial release.
09-Nov-2009
2
Updated package mechanical data.
14-Jan-2010
3
Modified Table 3 on page 2.
相关PDF资料
PDF描述
MJD31TF 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD32-I 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32C-I 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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MJD31BT4 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
相关代理商/技术参数
参数描述
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MJD31CT4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252
MJD31CTF 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CTF_NBDD001 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CTF_SBDD001A 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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