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参数资料
| 型号： | MJD31CT4-A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | MJD31CT4-A |
MJD31CT4-A
Electrical characteristics
Doc ID 13473 Rev 3
3/9
2
Electrical characteristics
Tcase = 25 °C unless otherwise specified.
2.1
Electrical characteristic (curves)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICES
Collector cut-off current
(VBE = 0)
VCE = 100 V
-
20
A
ICEO
Collector cut-off current
(IB = 0)
VCB = 60 V
-
50
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 5 V
-
0.1
mA
VCEO(sus)
(1)
1.
Pulse test: pulse duration
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2 %
Collector-emitter
sustaining voltage
(IB = 0)
IC = 30 mA
100
-
V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = 3 A
_
IB = 375 mA
-
1.2
V
VBE(on)
(1)
Base-emitter on voltage
IC = 3 A
_
VCE = 4 V
-
1.8
V
hFE
DC current gain
IC = 1 A
_ _ VCE = 4 V
IC = 3 A
VCE = 4 V
25
10
-
50
Figure 2.
Safe operating area
Figure 3.
Derating curve
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PDF描述 |
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