型号: | MJD31CT4 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | DPAK-3 |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 150K |
代理商: | MJD31CT4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJD49T4 | 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
MJE13002 | 1.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
MJE13003B-AP | 1500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MJE13003B-BP | 1500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MJE13004 | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJD31CT4-A | 功能描述:两极晶体管 - BJT LO VLT NPN PWR TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD31CT4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD31CT4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252 |
MJD31CTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD31CTF_NBDD001 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |