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参数资料
| 型号： | MJD31CT4 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | MJD31CT4 |
MJD31C MJD32C
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.03
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
0.07
0.3
3
70
30
300
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 2 V
TJ = 150°C
100
0.1
0.7
25
°C
–55
°C
50
0.05
0.5
1
25
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°C)
50
75
100
125
150
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
Figure 2. Switching Time Test Circuit
Figure 3. DC Current Gain
3
0.03
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.5 0.7
3
IB1 = IB2
IC/IB = 10
ts′ = ts – 1/8 tf
TJ = 25°C
t,TIME
(
s)
0.3
2
1
0.7
0.5
0.3
ts′
0.2
0.1
0.07
0.05
12
Figure 4. Turn–On Time
2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.02
IC/IB = 10
TJ = 25°C
t,TIME
(
s)
1
0.7
0.5
0.3
0.1
0.07
0.05
0.03
0.003
Figure 5. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.4
1.2
0.4
0
+11 V
25
s
0
–9 V
RB
–4 V
D1
SCOPE
VCC
+ 30 V
RC
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1%
51
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
REVERSE ALL POLARITIES FOR PNP.
500
7
10
0.03
0.07
0.3
3
0.1
0.7
0.05
0.5
1
tr @ VCC = 30 V
tr @ VCC = 10 V
td @ VBE(off) = 2 V
0.6
0.2
0.005
0.01 0.02 0.03 0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
3
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 2 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
tf @ VCC = 30 V
tf @ VCC = 10 V
2.5
0
2
1.5
1
0.5
Figure 6. Turn–Off Time
TA
TYPICAL CHARACTERISTICS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD49T4 | 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJE13002 | 1.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
| MJE13003B-AP | 1500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE13003B-BP | 1500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE13004 | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD31CT4-A | 功能描述:两极晶体管 - BJT LO VLT NPN PWR TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD31CT4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD31CT4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252 |
| MJD31CTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD31CTF_NBDD001 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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