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参数资料
| 型号： | MJD41CI |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | MJD41CI |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD41C
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
V
CE = 2V
h
FE
,DC
C
URRENT
GAI
N
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
IC = 10 IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
a
t)
,V
CE
(s
a
t)
[V]
,SA
TURATI
O
N
VO
L
T
AG
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
C
ob
[pF
],
C
A
PA
C
IT
A
N
C
E
V
CB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
R
V
CC = 30V
I
C = 10.IB
t
D. VBE(off)=5V
t R
,t
D
[
s],
T
URN
ON
T
IM
E
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
STG
t
F
t F
,t
ST
G
[
s],
T
URN
OF
F
T
IME
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
5m
s
100
s
500
s
1m
s
DC
I
CP
(max)
I
C(max)
I C
[A
],
CO
L
E
CT
O
R
CURR
E
N
T
V
CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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