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参数资料
| 型号： | MJD41CI |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | MJD41CI |
Product Folder - Fairchild P/N MJD41C - NPN Epitaxial Silicon Transistor
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MJD41C
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Related Links
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Contents
Features
General Purpose Amplifier
Low Speed Switching Applications
D-PAK for Surface Mount Applications
q
Lead Formed for Surface Mount
Applications (No Suffix)
q
Straight Lead (I-PAK, "-I" Suffix)
q
Electrically Similar to Popular TIP41
and TIP41C
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Datasheet
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Product status/pricing/packaging
Product
Product status
Pricing*
Package type
Leads
Packing method
MJD41CTF
Full Production
$0.339
TO-252(DPAK)
2
TAPE REEL
* 1,000 piece Budgetary Pricing
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file:///C|/shj/MJD41C.html [Jul-26-2002 3:18:47 PM]
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD42C-1 | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD44E3-1 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD44H11T4-A | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD45H11T4-A | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD45H11-1 | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD41CNPN | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves |
| MJD41CRL | 功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD41CRLG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD41CT4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD41CT4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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