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参数资料
| 型号： | MJD42C-1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | MJD42C-1 |
MJD41C (NPN) MJD42C (PNP)
http://onsemi.com
3
6
0.06
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2
0.4
4
20
7
500
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 2 V
TJ = 150°C
70
0.3
1
25
°C
-55
°C
10
0.1
0.6
2
6
25
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°C)
0
50
75
100
125
150
15
10
TC
5
20
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
Figure 2. Switching Time Test Circuit
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.1
t,TIME
(s)μ
5
3
2
1
ts
0.7
0.5
0.3
0.2
tf
2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
t,TIME
(s)μ
1
0.7
0.5
0.3
0.2
tr
0.1
0.07
0.05
0.03
td @ VBE(off) ≈ 5 V
Figure 3. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.2
0.8
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
2
1.6
0.4
0
VBE(sat) @ IC/IB = 10
2.5
0
1.5
1
TA
0.5
2
300
200
100
50
30
5
0.02
0.06
0.2
0.4
4
1
0.1
0.6
2
6
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
0.06
0.2
0.4
4
0.3
1
0.1
0.6
2
6
0.06
0.2
0.4
4
1
0.1
0.6
2
Figure 4. TurnOn Time
Figure 5. “On” Voltages
Figure 6. TurnOff Time
TJ = 25°C
VBE @ VCE = 4 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
+11 V
25
ms
0
-9 V
RB
-4 V
D1
SCOPE
VCC
+30 V
RC
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1%
51
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
MSB5300 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
REVERSE ALL POLARITIES FOR PNP.
3
TC
TA SURFACE MOUNT
0.07
0.05
TYPICAL CHARACTERISTICS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD44E3-1 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD44H11T4-A | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD45H11T4-A | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD45H11-1 | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD44H11-1 | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD42C1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD42CG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD42CRL | 功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD42CRLG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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