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参数资料
| 型号： | MJD44H11-1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MJD44H11-1 |
MJD44H11 MJD45H11
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 30 mA, IB = 0)
VCEO(sus)
80
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, VBE = 0)
ICES
—
—
10
A
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5 Vdc)
IEBO
—
—
50
A
ON CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 8 Adc, IB = 0.4 Adc)
VCE(sat)
—
—
1
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc)
VBE(sat)
—
—
1.5
Vdc
DC Current Gain
(VCE = 1 Vdc, IC = 2 Adc)
hFE
60
—
—
—
DC Current Gain
(VCE = 1 Vdc, IC = 4 Adc)
40
—
—
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector Capacitance
(VCB = 10 Vdc, ftest = 1 MHz)
MJD44H11
MJD45H11
Ccb
—
130
230
—
pF
Gain Bandwidth Product
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz)
MJD44H11
MJD45H11
fT
—
50
40
—
MHz
SWITCHING TIMES
Delay and Rise Times
(IC = 5 Adc, IB1 = 0.5 Adc)
MJD44H11
MJD45H11
td + tr
—
300
135
—
ns
Storage Time
(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)
MJD44H11
MJD45H11
ts
—
500
—
ns
Fall Time
(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)
MJD44H11
MJD45H11
tf
—
140
100
—
ns
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