- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录182422 > MJD44H11-1 (ON SEMICONDUCTOR) 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MJD44H11-1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MJD44H11-1 |
MJD44H11 MJD45H11
http://onsemi.com
4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 4 V
TJ = 125°C
25°C
-40°C
1000
0.1
Figure 4. MJD44H11 DC Current Gain
10
110
100
Figure 5. MJD45H11 DC Current Gain
Figure 6. MJD44H11 Current Gain
versus Temperature
Figure 7. MJD45H11 Current Gain
versus Temperature
IC/IB = 10
TJ = 25°C
0.1
Figure 8. MJD44H11 On–Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
SA
TURA
TION
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.2
0.4
0
0.6
0.2
110
TJ = 25°C
Figure 9. MJD45H11 On–Voltages
VCE = 1 V
IC/IB = 10
TJ = 25°C
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
SA
TURA
TION
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.2
0.4
0
0.6
0.2
1
10
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
1000
0.1
10
110
100
VCE = 1 V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 4 V
1000
0.1
10
110
100
TJ = 25°C
1 V
TJ = 125°C
25°C
-40°C
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
1000
0.1
10
110
100
VCE = 1 V
VBE(sat)
VCE(sat)
VBE(sat)
VCE(sat)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD47-I | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD50-1 | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD47-1 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD50I | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD47I | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD44H11-1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD44H11G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD44H11RL | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD44H11RLG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD44H11T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。