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参数资料
| 型号： | MJD45H11-I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | MJD45H11-I |
MJD45H1
1—
PNP
Epit
axial
Silicon
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MJD45H11 Rev. C3
2
Typical Performance Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Safe Operating Area
Figure 3. Power Derating vs TC
Figure 4. Power Derating vs TA
-0.01
-0.1
-1
-10
1
10
100
1000
VCE = -1V
h
FE
,D
C
CU
RREN
T
G
A
IN
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
5ms
100
s
500
s
1m
s
DC
I
CP(max)
I
C(max)
I C
[A],
C
O
LLE
CTO
R
CU
RREN
T
V
CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[W
],PO
WER
DISSIPATI
O
N
T
C[
oC], CASE TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
P
C
[W
],PO
WER
DISSIPATI
O
N
T
A[
oC], CASE TEMPERATURE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD47T4 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD47 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD50T4 | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MJD45H11RLG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11-T4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| MJD45H11T4-A | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
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