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参数资料
| 型号： | MJD45H11-I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | MJD45H11-I |
MJD45H1
1—
PNP
Epit
axial
Silicon
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MJD45H11 Rev. C3
4
Physical Dimension (Continued)
6.60
±0.20
0.76
±0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±0.20]
2.30TYP
[2.30
±0.20]
0.60
±
0.20
0.80
±
0.10
1.80
±
0.20
9.30
±
0.30
16.10
±
0.30
6.10
±
0.20
0.70
±
0.20
5.34
±0.20
0.50
±0.10
0.50
±0.10
2.30
±0.20
(0.50)
(4.34)
I-PAK
Dimensions in Millimeters
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD47T4 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD47 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD50T4 | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD6036 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD6036-1 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD45H11RL | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11RLG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11-T4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| MJD45H11T4-A | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
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