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参数资料
| 型号： | MJF18004 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | CASE 221D-03, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 422K |
| 代理商： | MJF18004 |
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
hF
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.01
100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
hF
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volts
V
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base–Emitter Saturation Region
Figure 6. Capacitance
10
1
1.00
10.00
100
10
1
0.01
0.10
1.00
10.00
2.0
0.01
IB, BASE CURRENT (AMPS)
10.00
1.00
0.01
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.10
1.1
1.0
0.8
0.4
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.10
1.00
10.00
1000
100
1
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1
100
1.0
0
0.10
1.00
10.00
10000
10
0.10
0.10
1.00
10.00
10
V
V
0.9
0.6
0.5
0.5
1.5
0.7
C
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
VCE = 1 V
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
TJ = –20
°
C
VCE = 5 V
TJ = 125
°
C
TJ = –20
°
C
TJ = 25
°
C
TJ = 25
°
C
IC = 0.5 A
1 A
1.5 A
2 A
3 A
4 A
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
IC/IB = 10
IC/IB = 5
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
IC/IB = 10
IC/IB = 5
Cib
Cob
TJ = 25
°
C
f = 1 MHz
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