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参数资料
| 型号： | MJF18004 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | CASE 221D-03, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 422K |
| 代理商： | MJF18004 |
7
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
–5
–4
–3
–2
–1
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
5
6
7
8
Figure 18. Dynamic Saturation Voltage Measurements
TI4
VCE
V
IB
Figure 19. Inductive Switching Measurements
1
μ
s
3
μ
s
90% IB
dyn 1
μ
s
dyn 3
μ
s
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
TIME
IB
IC
tsi
VCLAMP
10% VCLAMP
90% IB1
10% IC
tc
90% IC
tfi
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
+15 V
1
μ
F
150
3 W
100
3 W
MPF930
+10 V
50
COMMON
–Voff
500
μ
F
MPF930
MTP8P10
MUR105
MJE210
MTP12N10
MTP8P10
150
3 W
100
μ
F
Iout
A
1
μ
F
IC PEAK
VCE PEAK
VCE
IB
IB1
IB2
V(BR)CEO(sus)
L = 10
mH
RB2 =
∞
VCC = 20 VOLTS
IC(pk) = 100 mA
INDUCTIVE SWITCHING
L = 200
μ
H
RB2 = 0
VCC = 15 VOLTS
RB1 SELECTED FOR
DESIRED IB1
RBSOA
L = 500
μ
H
RB2 = 0
VCC = 15 VOLTS
RB1 SELECTED
FOR DESIRED IB1
RB2
RB1
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