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参数资料
| 型号： | MMBD770T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 1A 70V SOT-323 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 - 单 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 70V |
| 电流 - 最大： | 200mA |
| 电容@ Vr, F： | 1pF @ 20V，1MHz |
| 功率耗散（最大）： | 120mW |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMBD330T1G, SMMBD330T1G, MMBD770T1G, SMMBD770T1G
http://onsemi.com
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TYPICAL CHARACTERISTICS
MMBD770T1G, SMMBD770T1G
Figure 5. Total Capacitance
Figure 6. Minority Carrier Lifetime
Figure 7. Reverse Leakage Figure 8. Forward Voltage
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IF, FORWARD CURRENT (mA)
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
KRAKAUER METHOD
f = 1.0 MHz
, FORWARD CURRENT (mA)
I
F
, REVERSE LEAKAGE ( A)
I
R
0.2 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
0.001
0 1020304050
10
1.0
0.1
0.01
0
020406010 30 50 70 9080 100
500
0
0 5.0 10 15 20 25 35 5030
40 45
2.0
1.6
1.2
0.8
100
10
1.0
0.1
400
300
200
100
0.4
, MINORITY CARRIER LIFETIME (ps)
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
C
T
TA
= -
?C
TA
= 85
?C
TA
= 25
?C
TA
= 100
?C
TA
= 75
?C
TA
= 25
?C
MMBD770T1
MMBD770T1
MMBD770T1
MMBD770T1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD770T1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 70V 120mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MMBD770W | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
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| MMBD770WS | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
| MMBD914 | 功能描述:整流器 High Cond Ult Fst Di RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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