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参数资料
| 型号： | MMBF170LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 225mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMBF170LT1OSDKR |
MMBF170L, NVBF170L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.2
1.0
0.8
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
5.0 V
4.5 V
4.2 V
1.0
0.8
0.6
V DS ≥ 10 V
0.6
4.0 V
3.8 V
0.4
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
6
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
7
0.2
0
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
2 3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
7
8
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. Transfer Characteristics
8
7
T J = 25 ° C
15
12.5
QT
30
25
6
5
4
10
7.5
V DS
V GS
20
15
3
2
1
0
0.15
0.25
0.35
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.45 0.55
0.65
0.75
0.85
5
2.5
0
0
Q gs
0.5
Q gd
1
1.5
I D = 0.5 A
T J = 25 ° C
10
5
0
2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 5. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
0.24
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 6. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
0.22
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 7. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF170 | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 |
| MMBF2201NT1 | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 |
| MMBF2202PT1 | MOSFET P-CH 20V 300MA SOT-323 |
| MMDF1N05ER2G | MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC |
| MMDF2C03HDR2G | MOSFET N/P-CHAN 2A 30V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF170LT1_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23 |
| MMBF170LT1G | 功能描述:MOSFET 60V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBF170LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| MMBF170LT3 | 功能描述:MOSFET 20V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBF170LT3G | 功能描述:MOSFET 20V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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