- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录478 > MMBF170LT1 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MMBF170LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 225mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMBF170LT1OSDKR |
MMBF170L, NVBF170L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10 V
I D = 200 mA
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
V DS = V GS
I D = 1.0 mA
0.4
? 60
? 20
20 60
100
140
0.7
? 60
? 20
20 60
100
140
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 8. Temperature versus Static
Drain ? Source On ? Resistance
http://onsemi.com
4
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 9. Temperature versus Gate
Threshold Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF170 | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 |
| MMBF2201NT1 | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 |
| MMBF2202PT1 | MOSFET P-CH 20V 300MA SOT-323 |
| MMDF1N05ER2G | MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC |
| MMDF2C03HDR2G | MOSFET N/P-CHAN 2A 30V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF170LT1_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23 |
| MMBF170LT1G | 功能描述:MOSFET 60V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBF170LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| MMBF170LT3 | 功能描述:MOSFET 20V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBF170LT3G | 功能描述:MOSFET 20V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。