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参数资料
型号： MMBF5484LT3
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封装： PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件页数： 1/38页
文件大小： 467K
代理商： MMBF5484LT3
4–173
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
JFET Transistor
N–Channel
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Gate Voltage
VDG
25
Vdc
Reverse Gate–Source Voltage
VGS(r)
25
Vdc
Forward Gate Current
IG(f)
10
mAdc
Continuous Device Dissipation at or Below
TC = 25°C
Linear Derating Factor
PD
200
2.8
mW
mW/
°C
Storage Channel Temperature Range
Tstg
– 65 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)
TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
225
1.8
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
556
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
DEVICE MARKING
MMBF5484LT1 = 6B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Gate–Source Breakdown Voltage
(IG = –1.0 Adc, VDS = 0)
V(BR)GSS
–25
—
Vdc
Gate Reverse Current
(VGS = – 20 Vdc, VDS = 0)
(VGS = – 20 Vdc, VDS = 0, TA = 100°C)
IGSS
—
– 1.0
– 0.2
nAdc
Adc
Gate Source Cutoff Voltage
(VDS = 15 Vdc, ID = 10 nAdc)
VGS(off)
– 0.3
– 3.0
Vdc
ON CHARACTERISTICS
Zero–Gate–Voltage Drain Current
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0)
IDSS
1.0
5.0
mAdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Forward Transfer Admittance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 kHz)
|Yfs|
3000
6000
mhos
Output Admittance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 kHz)
|yos|
—
50
mhos
1. FR– 5 = 1.0
0.75 0.062 in.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MMBF5484LT1
Motorola Preferred Device
1
2
3
CASE 318 – 08, STYLE 10
SOT– 23 (TO – 236AB)
2 SOURCE
3
GATE
1 DRAIN
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PDF描述
MMBF5486LT1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
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MMBFJ113D87Z N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
MMBFJ175D87Z P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
MMBFJ177D87Z P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
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参数描述
MMBF5485 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
MMBF5485_Q 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
MMBF5486 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
MMBF5486_Q 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
MMBF5486_S00Z 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel RF Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
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