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参数资料
型号： MMBF5484LT3
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封装： PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件页数： 34/38页
文件大小： 467K
代理商： MMBF5484LT3
MMBF5484LT1
4–177
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 10. S11s
Figure 11. S12s
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Figure 12. S21s
Figure 13. S22s
COMMON SOURCE CHARACTERISTICS
S–PARAMETERS
(VDS = 15 Vdc, Tchannel = 25°C, Data Points in MHz)
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PDF描述
MMBF5486LT1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
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参数描述
MMBF5485 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
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MMBF5486_S00Z 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel RF Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
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