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参数资料
| 型号： | MMBF5484LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 23/38页 |
| 文件大小： | 467K |
| 代理商： | MMBF5484LT3 |
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MMBF5484LT1
4–175
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
2.0
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. 100 MHz and 400 MHz Neutralized Test Circuit
0
10
2.0
4.0
6.0
8.0
0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
ID = 5.0 mA
100 MHz
VDS = 15 Vdc
f1 = 399 MHz
f2 = 400 MHz
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
2.0
ID, DRAIN CURRENT (mA)
1.5
6.5
2.5
3.5
4.5
5.5
0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
Figure 3. Effects of Drain–Source Voltage
Figure 4. Effects of Drain Current
NOISE FIGURE
(Tchannel = 25°C)
*L1
17 turns, (approx. — depends upon circuit layout) AWG #28
enameled copper wire, close wound on 9/32
″ ceramic coil
form. Tuning provided by a powdered iron slug.
*L2
4–1/2 turns, AWG #18 enameled copper wire, 5/16
″ long,
3/8
″ I.D. (AIR CORE).
*L3
3–1/2 turns, AWG #18 enameled copper wire, 1/4
″ long,
3/8
″ I.D. (AIR CORE).
**L1
6 turns, (approx. — depends upon circuit layout) AWG #24
enameled copper wire, close wound on 7/32
″ ceramic coil
form. Tuning provided by an aluminum slug.
**L2
1 turn, AWG #16 enameled copper wire, 3/8
″ I.D.
(AIR CORE).
**L3
1/2 turn, AWG #16 enameled copper wire, 1/4
″ I.D.
(AIR CORE).
Adjust VGS for
ID = 50 mA
VGS < 0 Volts
NOTE:
The noise source is a hot–cold body
(AIL type 70 or equivalent) with a
test receiver (AIL type 136 or equivalent).
Reference
Designation
VALUE
100 MHz
400 MHz
C1
7.0 pF
1.8 pF
C2
1000 pF
17 pF
C3
3.0 pF
1.0 pF
C4
1–12 pF
0.8–8.0 pF
C5
1–12 pF
0.8–8.0 pF
C6
0.0015
F
0.001
F
C7
0.0015
F
0.001
F
L1
3.0
H*
0.2
H**
L2
0.15
H*
0.03
H**
L3
0.14
H*
0.022
H**
INPUT
TO 50
SOURCE
NEUTRALIZING
COIL
L1
C5
L3
Rg′
C1
C6
C4
L2
C3
TO 500
LOAD
CASE
C7
COMMON
ID = 5.0 mA
VGS
VDS
+15 V
C2
Pin, INPUT POWER PER TONE (dB)
+40
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
P
,OUTPUT
POWER
PER
T
ONE
(dB)
out
16
18
20
f = 400 MHz
100 MHz
VDS = 15 V
VGS = 0 V
+20
0
–20
–40
–60
–80
– 100
– 120
– 140
– 160
– 120
– 100
– 80
– 60
– 40
– 20
0
+ 20
3RD ORDER INTERCEPT
FUNDAMENTAL
OUTPUT @ IDSS,
0.25 IDSS
3RD ORDER IMD
OUTPUT @ IDSS,
0.25 IDSS
INTERMODULATION CHARACTERISTICS
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBF5485 | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBF5485_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBF5486 | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBF5486_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBF5486_S00Z | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel RF Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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