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参数资料
| 型号： | MMBF5484LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 12/38页 |
| 文件大小： | 467K |
| 代理商： | MMBF5484LT3 |
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MMBF5484LT1
4–174
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS (Continued)
Input Capacitance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 MHz)
Ciss
—
5.0
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 10 MHz)
Crss
—
1.0
pF
Output Capacitance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 MHz)
Coss
—
2.0
pF
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
Noise Figure
(VDS = 15 Vdc, ID = 1.0 mAdc, YG′ = 1.0 mmhos)
(RG = 1.0 k, f = 100 MHz)
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, YG′ = 1.0 mhos)
(RG = 1.0 M, f = 1.0 kHz)
NF
—
3.0
2.5
dB
Common Source Power Gain
(VDS = 15 Vdc, ID = 1.0 mAdc, f = 100 MHz)
Gps
16
25
dB
P
G
,POWER
GAIN
(dB)
POWER GAIN
2.0
ID, DRAIN CURRENT (mA)
Figure 1. Effects of Drain Current
4.0
24
8.0
12
16
20
0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
f = 100 MHz
400 MHz
Tchannel = 25°C
VDS = 15 Vdc
VGS = 0 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF5486LT1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| MMBFJ112D87Z | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MMBFJ113D87Z | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBF5485_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBF5486 | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBF5486_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBF5486_S00Z | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel RF Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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