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参数资料
| 型号： | MMBTA63LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 12/22页 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | MMBTA63LT3 |
MMBTA63LT1 MMBTA64LT1
2–411
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
–1.0
2.0
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(X1.0
K)
TA = 125°C
25
°C
–55
°C
VCE = –2.0 V
–2.0
–3.0
–5.0
–7.0
–10
–20
–30
–50
–100
–300
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
–0.3
–0.5
–0.7
–70
–200
–5.0 V
–10 V
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 2. “On” Voltage
V
,V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
–2.0
0
–0.3
TA = 25°C
VBE(on) @ VCE = –5.0 V
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
VCE(sat) @ IC/IB = 1000
IC/IB = 100
–0.5
–1.0
–2 –3 –5
–10
–20 –30 –50
–100 –200 –300
IB, BASE CURRENT (A)
Figure 3. Collector Saturation Region
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS
)
–2.0
–0.6
TA = 25°C
IC =
–1.8
–1.6
–1.4
–1.2
–1.0
–0.8
–0.1–0.2
–1 –2
–5 –10 –20 –50 –100–200 –500
–0.5
–1K–2K
–10K
–10 mA –50 mA –100 mA –175 mA
–300 mA
10
4.0
3.0
2.0
0.1
Figure 4. High Frequency Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
VCE = –5.0 V
f = 100 MHz
TA = 25°C
|h
FE
|,HIGH
FREQUENCY
CURRENT
GAIN
1.0
0.4
0.2
–1.0 –2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500
–1K
VBE(sat) @ IC/IB = 100
–5K
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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