| 型号: | MMBTA64LT3 |
| 厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装: | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数: | 4/22页 |
| 文件大小: | 328K |
| 代理商: | MMBTA64LT3 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA70LT3 | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA93LT3 | 500 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTH24LT1 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTH24LT3 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTH69LT1 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTA64LT3G | 功能描述:达林顿晶体管 SS DL XSTR PNP 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MMBTA70LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA70LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA92 | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA92 T/R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |