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参数资料
| 型号： | MMBTA64LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/22页 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | MMBTA64LT3 |
Surface Mount Information
7–12
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Footprints for Soldering
0.094
2.4
SC–59
mm
inches
0.037
0.95
0.037
0.95
0.039
1.0
0.031
0.8
SOT–23
mm
inches
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
SO–14, SO–16
mm
inches
0.060
1.52
0.275
7.0
0.024
0.6
0.050
1.270
0.155
4.0
SOT–223
0.079
2.0
0.15
3.8
0.248
6.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.091
2.3
mm
inches
mm
inches
0.035
0.9
0.075
0.7
1.9
0.028
0.65
0.025
0.65
0.025
SC–70/SOT–323
1.4
1
0.5 min. (3x)
0.5
min.
(3x)
0.5
SOT 416/SC–90
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA70LT3 | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA93LT3 | 500 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTH24LT1 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTH24LT3 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTH69LT1 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBTA70LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA92 | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA92 T/R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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