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参数资料
| 型号： | MMBTA70LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 19/25页 |
| 文件大小： | 486K |
| 代理商： | MMBTA70LT3 |
MMBTA70LT1
2–414
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 6. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
0.003
h
,DC
CURRENT
GAIN
FE
TJ = 125°C
–55
°C
25
°C
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
Figure 7. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.4
Figure 8. Collector Characteristics
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
,V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.6
100
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
*
qVC for VCE(sat)
qVB for VBE
0.1
0.2
0.5
Figure 9. “On” Voltages
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
0.002
TA = 25°C
IC = 1.0 mA
10 mA
100 mA
Figure 10. Temperature Coefficients
50 mA
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
40
60
80
100
20
0
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
TA = 25°C
PULSE WIDTH = 300
s
DUTY CYCLE
≤ 2.0%
IB = 400 A
350
A
300
A
250
A
200
A
*APPLIES for IC/IB ≤ hFE/2
25
°C to 125°C
–55
°C to 25°C
25
°C to 125°C
–55
°C to 25°C
40
60
0.005
0.01
0.02 0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70 100
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
5.0
10
15
20
25
30
35
40
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2.4
0.8
0
1.6
0.8
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.1
0.2
0.5
200
100
80
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
150
A
100
A
50
A
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PDF描述 |
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