型号: | MMBTH69LT3 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
封装: | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
文件页数: | 1/21页 |
文件大小: | 287K |
代理商: | MMBTH69LT3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBTH81LT1 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBTH81LT3 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMC2112CCPV33 | 32-BIT, FLASH, 33 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144 |
MMDF2C01HDR2 | 5.2 A, 20 V, 0.055 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MMDF2C01HDR2 | 5.2 A, 20 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBTH81 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
MMBTH81 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor |
MMBTH81_D87Z | 功能描述:射频双极小信号晶体管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
MMBTH81_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBTRA101 RF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP digital trans 4.7/4.7kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |