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参数资料
| 型号： | MMBTH69LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 13/21页 |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | MMBTH69LT3 |
Package Outline Dimensions
8–8
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
NOTES:
1. LEADS WITHIN 0.13 (0.005) RADIUS OF TRUE
POSITION AT SEATING PLANE AT MAXIMUM
MATERIAL CONDITION.
2. DIMENSION L TO CENTER OF LEADS WHEN
FORMED PARALLEL.
3. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE MOLD
FLASH.
4. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
17
14
8
B
A
F
HG
D
K
C
N
L
J
M
SEATING
PLANE
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.715
0.770
18.16
19.56
B
0.240
0.260
6.10
6.60
C
0.145
0.185
3.69
4.69
D
0.015
0.021
0.38
0.53
F
0.040
0.070
1.02
1.78
G
0.100 BSC
2.54 BSC
H
0.052
0.095
1.32
2.41
J
0.008
0.015
0.20
0.38
K
0.115
0.135
2.92
3.43
L
0.300 BSC
7.62 BSC
M
0
10
0
10
N
0.015
0.039
0.39
1.01
__
_
CASE 646–06
14–PIN DIP
PLASTIC
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION L TO CENTER OF LEADS WHEN
FORMED PARALLEL.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH.
5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
–A–
B
F
C
S
H
G
D
J
L
M
16 PL
SEATING
18
9
16
K
PLANE
–T–
M
A
M
0.25 (0.010)
T
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.740
0.770
18.80
19.55
B
0.250
0.270
6.35
6.85
C
0.145
0.175
3.69
4.44
D
0.015
0.021
0.39
0.53
F
0.040
0.70
1.02
1.77
G
0.100 BSC
2.54 BSC
H
0.050 BSC
1.27 BSC
J
0.008
0.015
0.21
0.38
K
0.110
0.130
2.80
3.30
L
0.295
0.305
7.50
7.74
M
0
10
0
10
S
0.020
0.040
0.51
1.01
_
CASE 648–08
16–PIN DIP
PLASTIC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTH81LT1 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTH81LT3 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMC2112CCPV33 | 32-BIT, FLASH, 33 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| MMDF2C01HDR2 | 5.2 A, 20 V, 0.055 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMDF2C01HDR2 | 5.2 A, 20 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTH81 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MMBTH81 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| MMBTH81_D87Z | 功能描述:射频双极小信号晶体管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MMBTH81_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTRA101 RF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP digital trans 4.7/4.7kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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