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参数资料
| 型号： | MMDF2N02ER2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 2A 25V 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 532pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MMDF2N02ER2GOS |
MMDF2N02E
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
7
6
5
V GS = 10 V
4.5 V
4.3 V
4.1 V
3.9 V
3.7 V
3.5 V
3.3 V
7
6
5
V DS ≥ 10 V
T J = 25 ° C
4
4
100 ° C
3
3.1 V
3
2
2.9 V
2.7 V
2
25 ° C
1
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
2.5 V
T J = 25 ° C
1.75
2
1
0
1.5
T J = -55 ° C
2 2.5 3 3.5
4
0.6
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.15
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.5
0.4
I D = 3.5 A
T J = 25 ° C
0.1
V GS = 4.5
T J = 25 ° C
10 V
0.3
0.2
0.1
0
0.05
0
2
3
4 5
6 7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
2.0
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
10000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.5
1.0
0.5
V GS = 10 V
I D = 3.5 A
1000
100
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
100 ° C
25 ° C
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
1
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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