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参数资料
| 型号： | MMDF2N02ER2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 2A 25V 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 532pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MMDF2N02ER2GOS |
MMDF2N02E
100 m s
100
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
Mounted on 2 ″ sq. FR4 board (1 ″ sq. 2 oz. Cu 0.06 ″
thick single sided) with one die operating, 10s max.
10 m s
10 ms
280
240
200
I pk = 9 A
160
1
dc
120
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
80
40
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 13. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
Normalized to q ja at 10s.
0.02
Chip
0.0175 W
0.0710 W
0.2706 W
0.5776 W
0.7086 W
0.01
0.01
SINGLE PULSE
0.0154 F
0.0854 F
0.3074 F
1.7891 F
107.55 F
Ambient
0.001
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
6
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