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参数资料
| 型号： | MMDF3N04HDR2 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3400 mA, 40 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 291K |
| 代理商： | MMDF3N04HDR2 |
MMDF3N04HD
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 14. Thermal Response
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
t, TIME (s)
Rthja(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
1
0.1
0.01
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.001
0.0106
0.0431
0.1643
0.3507
0.4302
177.14 F
2.9468 F
0.5064 F
0.1406 F
0.0253 F
Chip
Junction
Ambient
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDT2222A | 600 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMFT2406T3 | 0.7 A, 240 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA |
| MMFT2955ET3 | 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFT2955ET1 | 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFT6661 | 500 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDF3N04HDR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8D 40V 3.4A 80mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF3N06HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:DUAL TMOS POWER MOSFET 60 VOLTS |
| MMDF3N06VL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 60 Volts N−Channel SO−8, Dual |
| MMDF3N06VLR2 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R |
| MMDF3NO2HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS DUAL N-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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