型号: | MMFT1N10ET1 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
文件页数: | 1/10页 |
文件大小: | 236K |
代理商: | MMFT1N10ET1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMFT1N10ET3 | 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
MMFT1N10ET1 | 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
MMFT2955ET3 | 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
MMFT2955ET1 | 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
MMFT2955ET1G | 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMFT1N10ET3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
MMFT1N20T1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MMFT2406T | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:MEDIUM POWER TMOS FET 700 mA 240 VOLTS |
MMFT2406T1 | 功能描述:MOSFET N-CH 240V 700MA SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
MMFT2406T1G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |