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参数资料
| 型号： | MMFT1N10ET1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | MMFT1N10ET1 |
MMFT1N10E
5
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
RG
t
VDS
L
IL
VDD
Figure 9. Commutating Waveforms
tP
BVDSS
VDD
IL(t)
t, (TIME)
Figure 10. Commutating Safe Operating Area
(CSOA)
15 V
VGS
0
90%
IFM
dlS/dt
IS
10%
trr
tfrr
0.25 IRM
IRM
ton
VDS
Vf
VdsL
VR
VDS(pk)
MAX. CSOA
STRESS AREA
Figure 11. Commutating Safe Operating Area
Test Circuit
Figure 12. Unclamped Inductive Switching
Test Circuit
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
+
–
+
–
Figure 13. Unclamped Inductive Switching
Waveforms
VR
VGS
IFM
20 V
RGS
DUT
IS
VDS
Li
VR = 80% OF RATED VDSS
VdsL = Vf + Li dlS/dt
I S
,SOURCE
CURRENT
(AMPS)
5
0
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
0
20
40
60
80
100
120
140
1
0.5
dIS/dt ≤ 400 A/s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMFT1N10ET3 | 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFT1N10ET1 | 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFT2955ET3 | 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFT2955ET1 | 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFT2955ET1G | 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMFT1N10ET3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MMFT1N20T1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMFT2406T | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:MEDIUM POWER TMOS FET 700 mA 240 VOLTS |
| MMFT2406T1 | 功能描述:MOSFET N-CH 240V 700MA SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MMFT2406T1G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
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