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参数资料
| 型号： | MMFT2406T1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 0.7 A, 240 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA |
| 封装： | CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | MMFT2406T1 |
MMFT2406T1
http://onsemi.com
3
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 3:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
H
S
F
A
B
D
G
L
4
1
2
3
0.08 (0003)
C
M
K
J
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
MIN
0.249
0.130
0.060
0.024
0.115
0.087
0.0008
0.009
0.060
0.033
MAX
0.263
0.145
0.068
0.035
0.126
0.094
0.0040
0.014
0.078
0.041
10
0.287
MIN
6.30
3.30
1.50
0.60
2.90
2.20
0.020
0.24
1.50
0.85
MAX
6.70
3.70
1.75
0.89
3.20
2.40
0.100
0.35
2.00
1.05
10
7.30
MILLIMETERS
INCHES
0
0
0.264
6.70
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
SOT223 (TO261)
CASE 318E04
ISSUE K
1.5
0.059
mm
inches
SCALE 6:1
3.8
0.15
2.0
0.079
6.3
0.248
2.3
0.091
2.3
0.091
2.0
0.079
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMFT2406T1G | Power MOSFET |
| MMFT2406T3 | Power MOSFET |
| MMFT2406T3G | Power MOSFET |
| MMG3002NT1 | Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) |
| MMJT350T1 | Bipolar Power Transistors |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMFT2406T1G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| MMFT2406T3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MMFT2406T3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| MMFT2955E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS MEDIUM POWER FET 1.2 AMP 60 VOLTS |
| MMFT2955ET1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET P SOT-223 |
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