型号: | MMFT2955ET1G |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
封装: | LEAD FREE, CASE 318E-04, 4 PIN |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 203K |
代理商: | MMFT2955ET1G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMFT2N25EG | 2000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
MMFT3055ET1 | 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
MMFT3055ET3 | 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
MMFT3055ET1 | 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
MMFT3055ELT3 | 1500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMFT2N02EL | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:MEDIUM POWER LOGIC LEVEL TMOS FET 1.6 AMP 20 VOLTS |
MMFT2N02ELT1 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
MMFT2N25E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS |
MMFT2N25ET3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
MMFT3055E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:MEDIUM POWER TMOS FET 1.7 AMP 60 VOLTS |