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参数资料
| 型号： | MMSD103T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 124K |
| 描述： | DIODE SWITCHING 250V SOD-123 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
     MMSD103T1G, SMMSD103T1G http://onsemi.com 3 Figure 2. Forward Voltage Figure 3. Reverse Leakage 7000 REVERSE VOLTAGE (V) 5000 3000 5 0 2 1 6000 4000 6 5 10 20 50 100 200 300 1 2 3 4 TA = 150 ?C TA = 25 ?C TA = ?55?C REVERSE CURRENT (nA) FORWARD CURRENT (mA) TA = ?55?C 1 10 100 1000 1 200 400 600 800 1000 1200 FORWARD VOLTAGE (mV) 150?C 25?C Figure 4. Diode Capacitance VR, REVERSE VOLTAGE (V) 6 5 4 3 2 1 0.30 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 C d , DIODE CAPACITANCE (pF) 7108 9 0.7 0.75 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMSD103T1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| MMSD103T1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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| MMSD-11-20-L-12.00-S-K | 制造商:Samtec Inc 功能描述:.100 SOCKET DISCREET CABLE ASSEMBLY - Bulk |
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