参数资料
型号: MMSTA42-13
厂商: DIODES INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 3/3页
文件大小: 72K
代理商: MMSTA42-13
DS30175 Rev. 6 - 2
3 of 3
MMSTA42
www.diodes.com
0
50
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
100
150
200
0
0.1
0.2
0.1
1
10
100
V
,
BASE
EMITTER
V
OL
T
AGE
(V)
BE(ON)
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V= 5V
CE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Base Emitter Voltage vs Collector Current
T = -50°C
A
T = 25°C
A
T = 150°C
A
1
10
1000
10000
100
1
10
1000
100
h
,
DC
CURRENT
FE
GAIN
(NORMALIZED)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, DC Current Gain vs
Collector Current
T = -50°C
A
T = 25°C
A
T = 150°C
A
V= 5V
CE
1
10
100
1000
V,
C
O
LLECT
O
RT
O
EMITTER
CE(SA
T
)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
T= 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
2.0
1.8
I
C
I
B
=10
1
10
100
1
10
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Gain Bandwidth Product vs
Collector Current
V= 5V
CE
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