参数资料
| 型号： | MMT08B310T3 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | THYRIST TSPD BIDIR 80A 310V SMB |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 击穿： | 365V |
| 电压 - 断路： | 270V |
| 电压 - 导通状态： | 3V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 250A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 80A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 50pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MMT08B310T3OS |
MMT08B310T3
100
10
V D1 = 50 V
340
320
300
280
260
1
240
220
0.1
200
180
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
160
?50
?25
0
25
50
75
100
125
380
360
340
320
300
280
260
240
220
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 1. Off?State Current versus Temperature
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Breakdown Voltage versus Temperature
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
200
?50
?25
0
25
50
75
100
125
100
?50
?25
0
25
50
75
100
125
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Breakover Voltage versus Temperature
t r = rise time to peak value
250
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. Holding Current versus Temperature
100
Peak
Value
t f = decay time to half value
230
210
190
50
Half Value
170
150
130
0
0 t r
t f
110
10
100
1000
10000
TIME ( m s)
Figure 5. Exponential Decay Pulse Waveform
TIME ( m s)
Figure 6. Peak Surge On?State Current versus
Surge Current Duration, Sinusoidal Waveform
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMT08B350T3G | TSPD BIDIRECT 350V 80A SMB |
| MMT10B310T3G | THYRIST TSPD BIDIR 100A 270V SMB |
| MMT10B350T3G | THYRIST TSPD BIDIR 100A 350V SMB |
| MNT-102-BK-T | CONN SHUNT 4POS |
| MOV-07D121KTR | VARISTOR 120V 7MM RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMT08B310T3_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD |
| MMT08B310T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 80A Surge 310V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT08B350T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 80A Surge 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT08B350T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 80A Surge 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT100J224 | 制造商:Nissei Electronics 功能描述: |
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